韓國記憶體大廠 SK 海力士日宣佈，為應對用於 AI 的半導體需求劇增，決定擴充 AI 基礎設施的核心產品，即 HBM 等新一代 DRAM 的生產能力。因此，公司通過董事會決議，將建設在韓國忠清北道清州市的 M15X 產線，作為新的 DRAM 生產基地，並決定向晶圓廠建設投資約 5.3 兆韓圜。
SK 海力士表示，整體建設計畫將於本月底開始進行，並計畫在 2025 年 11 月完工並開始量產。公司也將依次進行設備投資，從長遠來看，累計將向 M15X 產線投資逾 20 兆還還，藉此進一步擴充產能。
SK 海力士指出，作為 AI 應用的記憶體領域全球領先者，公司希望藉由向韓國生產基地的加大投資，為啟動韓國經濟動能做出貢獻，同時鞏固半導體強國的地位。另外，隨著 AI 時代的來臨，半導體業界認為 DRAM 市場進入了中長期的成長時期。因此，公司認為，預計年均成長率高達 60% 以上的 HBM、以及針對伺服器為主的高容量 DDR5 模組為主的普通 DRAM 產品需求也將持續增加。
在此趨勢下，要想確保 HBM 產品的產量達到與普通 DRAM 相同的水準，則至少需要相對於普通 DRAM 至少兩倍以上的生產能力。所以，當前提高以 HBM 為主的 DRAM 產能是首要課題。基於以上因素，SK 海力士決定在預定 2027 年上半年完工的龍仁半導體群集中之第一座工廠之前，在清州 M15X 產線開始生產新一代 DRAM 產品。而且，也考慮了 M15X 產線的地理位置優勢，進一步擴與之擴充相鄰的 M15 產線 TSV 生產能力，以進一步優化 HBM 生產。
SK 海力士強調，在發展 M15X 產線的同時，也將如期進行投入約 120 兆韓圜的龍仁半導體集群等韓國國內投資計畫。目前，龍仁半導體集群的用地工程進度約為 26%，相較於工程目標快約 3 個百分點。公司已完成生產設施用地的相關補償和文化遺產調查工作，還有電力、用水、道路等基礎設施的建設工程也比原計畫進行得更快。SK 海力士計畫在 2025 年 3 月開工建造龍仁半導體集群第一座工廠，並於 2027 年 5 月完工。
另外，SK 海力士的韓國國內投資，在 SK 集團展開的整個韓國國內投資當中也發揮了重要作用。公司在 2012 年併入 SK 集團後，從 2014 年開始總投資 46 兆韓圜，利川 M14 產線為開端，增建三座晶圓廠的 ｢未來展望｣ 為中心，在韓國持續加碼投資。最終，公司在 2018 年和 2021 年依次完工了清州 M15 產線和利川 M16 產線，超前達成了未來展望。
SK 海力士進一步指出，隨著 M15X 產線和龍仁半導體群集投資，能夠促使韓國成為 AI 半導體強國，也將成為激發國家經濟的動力。對此，SK 海力士執行長郭魯正表示，M15X 產線將成為向全世界提供 AI 應用記憶體的核心設施，也是公司邁向未來的基石。我確信此次投資不僅有助於公司，還會對國家經濟的未來發展做出貢獻。
(首圖來源：官網)
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